軟擊穿對(duì)壓控磁各向異性磁隧道結(jié)及其讀電路性能影響
摘要: 為了解決軟擊穿導(dǎo)致的壓控磁各向異性磁隧道結(jié)(voltage-controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)及其讀電路性能下降的問題,在對(duì)VCMA-MTJ軟擊穿機(jī)理深入分析的基礎(chǔ)上,修正了VCMA-MTJ的電學(xué)模型,設(shè)計(jì)了一種具有固定參考電阻的VCMA-MTJ讀電路和一種具有參考電阻調(diào)控單元的V... (共8頁)
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