考慮閾值電壓漂移的SiC MOSFET功率循環(huán)壽命修正技術

摘要： 在SiC MOSFET的功率循環(huán)測試(PCT)中，飽和壓降主要表征鍵合線的老化狀態(tài)，其值由導通電阻決定。SiC MOSFET的閾值電壓漂移會在導通電阻中引入非鍵合線老化導致的芯片電阻增量，進而影響壽命判斷。為了準確判定鍵合線失效，設計和搭建閾值電壓漂移在線監(jiān)測平臺，并結合實測閾值電壓漂移數(shù)據(jù)解耦出芯片電阻增量，進而對實測飽和壓降進行補償，實現(xiàn)對SiC MOSFET功率循環(huán)壽命的... （共8頁）