SiC MOSFET改進(jìn)關(guān)斷瞬態(tài)模型研究

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 12 2024-05-14

摘要：傳統(tǒng)碳化硅(silicon carbide,Si C)金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor,MOSFET)關(guān)斷瞬態(tài)模型忽略了在小負(fù)載電流或小驅(qū)動(dòng)電阻下Si CMOSFET的溝道關(guān)斷先于對(duì)管Si C肖特基勢(shì)壘二極管導(dǎo)通的特殊關(guān)斷模式，導(dǎo)致該工況下傳統(tǒng)關(guān)斷模型不適用。為解決該問題，該文在傳統(tǒng)... （共12頁(yè)）

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