不同退火氛圍下MgZnO-TFT的制備及其性能

摘要： 為探求退火氛圍對鎂鋅氧化物薄膜晶體管性能的影響，本文采用射頻磁控濺射法制備了MgZnO薄膜，并以其為溝道層構(gòu)建了底柵頂接觸結(jié)構(gòu)的MgZnO-TFT器件。將所制備的MgZnO薄膜分別在空氣、真空、氧氣、氮氣4種不同氛圍下進(jìn)行500℃、時長1 h的退火處理，通過原子力顯微鏡掃描（AFM）和X射線光電子能譜（XPS）技術(shù)對薄膜進(jìn)行表征分析，結(jié)果表明，在真空氛圍下退火處理后，MgZnO... （共9頁）