用于壓電單晶薄膜晶圓制備的鍵合面清洗技術(shù)研究

摘要： 高性能薄膜聲表面波濾波器對(duì)壓電單晶薄膜晶圓鍵合面的潔凈度提出了嚴(yán)苛的要求。目前采用的常規(guī)清洗技術(shù)對(duì)因離子注入后而殘留的大量顆粒等污染物的去除效率低，導(dǎo)致鍵合晶圓存在較多氣泡或者空洞，因此提出了一種采用硫酸與過(guò)氧化氫混合溶液(SPM)清洗和新型復(fù)合清洗液刷洗清洗技術(shù)的兩步清洗法。采用此工藝后，晶圓表面的顆粒數(shù)由離子注入后的148 000降到23,有效去除了晶圓鍵合面沾污、顆粒等污... （共5頁(yè)）