半絕緣砷化鎵光電導(dǎo)天線的封裝優(yōu)化

摘要： 針對光電導(dǎo)天線（PCA）芯片目前普遍面臨太赫茲發(fā)射功率較低的問題，利用Si₃N₄和硅凝膠對PCA芯片進(jìn)行鈍化和封裝，并利用太赫茲時域光譜（THz-TDS）系統(tǒng)測量其太赫茲波形。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：1) Si₃N₄鈍化層的引入可以將無激光照射下的器件電阻增大約一個數(shù)量級、將太赫茲波幅值提高至約為原來的6倍以及將在大氣環(huán)境下探測到的太赫茲譜寬從1.5 THz擴(kuò)展至約3.0 THz... （共6頁）