32×32 Si蓋革模式激光焦平面探測(cè)器

摘要： 為了滿足350 nm～1100 nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)遠(yuǎn)距離及微弱激光3維成像探測(cè)的需求，提出了一種規(guī)模為32×32的蓋革模式硅激光焦平面陣列探測(cè)器，它主要由硅雪崩光電二極管陣列、讀出電路芯片、微透鏡陣列、半導(dǎo)體制冷器、引腳網(wǎng)格陣列殼體等元件組成。硅雪崩光電二極管焦平面陣列采用拉通型N~+-Π₁-P~--Π₂-P~+結(jié)構(gòu)，工作在蓋革模式下，通過Si片背面拋磨減薄及盲孔刻蝕技術(shù)，實(shí)現(xiàn)... （共6頁）