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基于4H-SiC APD單光子探測的主動(dòng)淬滅電路研究

激光技術(shù) 頁數(shù): 7 2024-03-19
摘要: 為了對比不同類型淬滅電路對4H-SiC雪崩光電二極管(APD)探測性能的影響,采用被動(dòng)淬滅電路(PQC)和主動(dòng)淬滅電路(AQC),對兩種類型SiC紫外APD進(jìn)行了單光子探測實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)在PQC較長死區(qū)時(shí)間內(nèi),會(huì)頻發(fā)后脈沖現(xiàn)象,導(dǎo)致APD的暗計(jì)數(shù)率(DCR)較高,從而降低器件的信噪比;對APD后脈沖概率的時(shí)間分布進(jìn)行了研究,并進(jìn)一步對AQC在更高器件過偏壓下單光子探測中出現(xiàn)的問題進(jìn)... (共7頁)

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