GaSb襯底厚度對超晶格電學特性影響的研究

摘要： 非故意摻雜的GaSb存在施主缺陷，呈現(xiàn)p型導電，導電性較好。對于分子束外延制備的Sb基超晶格材料，通常用GaSb做襯底，而GaSb襯底厚度遠大于超晶格材料厚度，因此對銻基二類超晶格材料進行霍爾測試時GaSb襯底厚度對超晶格電學性能容易產(chǎn)生較大影響。而在紅外探測器制備過程中，為了增加材料對紅外輻射的吸收，通常在器件制備完成后對襯底進行減薄，通過背入射的方式對紅外輻射進行探測，因此... （共8頁）