基于AlAsSb/InAsSb超晶格勢壘的InAs/InAsSb Ⅱ類超晶格nBn中波紅外探測器

摘要： InAs/InAsSb Ⅱ類超晶格避免了InAs/GaSb Ⅱ類超晶格中與Ga原子相關(guān)的缺陷復合中心，具有更高的少數(shù)載流子壽命，在高工作溫度中波紅外探測器制備方面有著良好的應用前景。少數(shù)載流子單極勢壘結(jié)構(gòu)通常被用來抑制探測器暗電流，如nBn結(jié)構(gòu)探測器。在InAs/InAsSb Ⅱ類超晶格nBn中波紅外光電探測器中，勢壘層常采用AlAsSb等多元合金材料，阻擋多數(shù)載流子的輸運。然... （共7頁）