寬波段響應(yīng)硅雪崩光電探測(cè)器研究

摘要： 本文基于目前對(duì)寬波段探測(cè)器的應(yīng)用需求，設(shè)計(jì)了一種在250～1 100 nm范圍有較高響應(yīng)的硅雪崩光電探測(cè)器（Si APD），不需要拼接即可實(shí)現(xiàn)紫外-可見-近紅外波段光的高效探測(cè)。分別對(duì)硅的紫外增強(qiáng)和（近）紅外增強(qiáng)進(jìn)行了分析，在此基礎(chǔ)上，為獲得寬波段響應(yīng)Si APD，對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬設(shè)計(jì)，采用光背入射等方式，提高短波吸收，同時(shí)保證近紅外吸收。模擬優(yōu)化的Si APD器件峰值波長(zhǎng)9... （共8頁(yè)）