PBn單極勢壘型InAsSb光電探測器p型摻雜研究（英文）

摘要： 在GaSb襯底上外延生長晶格匹配的XBn結(jié)構(gòu)InAsSb具有高晶體質(zhì)量，在高工作溫度（HOT）下能夠?qū)崿F(xiàn)極低的暗電流。該結(jié)構(gòu)具有優(yōu)越的性能，在阻擋多數(shù)載流子的同時，不影響空穴傳輸。為了進一步探索XBn單極勢壘結(jié)構(gòu)的能帶和載流子輸運機理，系統(tǒng)地研究了摻雜對PBn結(jié)構(gòu)InAsSb光電探測器的暗電流、光電流和隧穿特性的影響。制備了三個高質(zhì)量InAsSb樣品，吸收層（AL）均為非故意摻... （共7頁）