GaN器件kink效應(yīng)建模研究（英文）

摘要： 本文通過(guò)分析耗盡型GaN器件kink效應(yīng)，基于ASM-HEMT提出了一種改進(jìn)模型。該模型考慮到漏源電壓、柵源電壓與kink效應(yīng)的關(guān)系，不僅能夠準(zhǔn)確模擬電流崩塌和kink效應(yīng)發(fā)生時(shí)的漏源電流趨勢(shì)，而且精準(zhǔn)擬合了不同柵源電壓下kink效應(yīng)發(fā)生時(shí)對(duì)應(yīng)的漏源電壓值V_(ds-k)，表明改進(jìn)模型能夠準(zhǔn)確表征GaN器件在整個(gè)工作電壓范圍內(nèi)的直流特性，擬合誤差在3%以內(nèi)。為了驗(yàn)證改進(jìn)模型的精... （共6頁(yè)）