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側(cè)柵晶體管太赫茲探測(cè)器的物理模型、結(jié)構(gòu)制備與直流測(cè)試

紅外與毫米波學(xué)報(bào) 頁數(shù)： 7 2024-08-15
摘要： 針對(duì)側(cè)柵結(jié)構(gòu)高電子遷移率晶體管（High Electron Mobility Transistors, HEMTs）太赫茲探測(cè)器，構(gòu)建了器件的直流輸運(yùn)和太赫茲探測(cè)的物理模型。運(yùn)用自對(duì)準(zhǔn)工藝，成功制備了形態(tài)良好、接觸可靠的側(cè)柵結(jié)構(gòu)，有效地解決了器件雙側(cè)柵與臺(tái)面間的接觸問題，最終獲得了不同柵寬（200 nm、800 nm和1 400 nm）的側(cè)柵GaN/AlGaN HEMT太赫茲探... （共7頁）

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