N型MOSFET器件總劑量效應(yīng)通用測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要： 抗輻照電機(jī)驅(qū)動(dòng)器研發(fā)需要準(zhǔn)確獲取電橋電路金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)器件的總劑量效應(yīng)失效閾值,電流-電壓、電容-電壓等離線測(cè)試方法,無(wú)法真實(shí)反映器件開關(guān)性能隨累積劑量增加的連續(xù)變化過(guò)程。因此,針對(duì)MOSFET器件總劑量效應(yīng)的在線測(cè)試需求,設(shè)計(jì)了基于高速信號(hào)采集及... （共9頁(yè)）