增強(qiáng)型Cascode結(jié)構(gòu)GaN HEMT器件中子輻照效應(yīng)研究

摘要： 為探究增強(qiáng)型共源共柵（Cascode）結(jié)構(gòu)GaN HEMT器件的中子輻照效應(yīng)及機(jī)理，首先利用歸一化能量為1 MeV、注量為1×10¹⁴ n/cm~2的中子源開展輻照效應(yīng)試驗(yàn)，并對(duì)輻照前/后器件的電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果表明，經(jīng)過中子輻照后，器件的閾值電壓發(fā)生明顯的負(fù)向漂移，且跨導(dǎo)峰值減小。后續(xù)又分別對(duì)器件中級(jí)聯(lián)的增強(qiáng)型Si MOSFET和耗盡型GaN HEMT開展Geant... （共8頁）