重離子源類(lèi)別對(duì)SiC MOSFET單粒子效應(yīng)的影響

摘要： SiC金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）作為第三代航天器用半導(dǎo)體器件，在應(yīng)用前須經(jīng)過(guò)抗單粒子效應(yīng)試驗(yàn)評(píng)估。文章探究重離子加速器恒定式和脈沖式束流源這兩種不同類(lèi)別的輻照源對(duì)SiC MOSFET單粒子效應(yīng)的影響。試驗(yàn)結(jié)果表明兩種束流源對(duì)SiC MOSFET漏電退化影響不同。采用TCAD對(duì)SiC MOSFET單粒子效應(yīng)進(jìn)行仿真的結(jié)果顯示，當(dāng)2個(gè)離子在相差100 ps的間隔... （共8頁(yè)）