基于101.6 mm晶圓35 nm InP HEMT工藝的340 GHz低噪聲放大器芯片研制

摘要： 實現(xiàn)了在101.6 mm InP晶圓上制備35 nm的增強型InP高電子遷移率晶體管。通過InAs復合溝道外延結(jié)構(gòu)設計，使得室溫二維電子氣遷移率面密度乘積達到4.2×10¹⁶/（V·s）。采用了鉑鈦鉑金埋柵工藝技術(shù)，典型器件最大跨導達到2 900 mS/mm，電流增益截止頻率達到460 GHz，最高振蕩頻率為720 GHz。同時研制出340 GHz低噪聲放大器芯片，在31... （共5頁）