截止頻率1.2 THz的GaN肖特基二極管及其三倍頻單片集成電路

摘要： 通過(guò)設(shè)計(jì)不同摻雜濃度和厚度的GaN低摻雜外延層，制造了兩款SiC基GaN肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky barrier diode,SBD）。結(jié)果顯示在低摻雜層厚度為80 nm，摻雜濃度為8×10¹⁷ cm^-3條件下制備的GaN SBD截止頻率高達(dá)1.2 THz?；谠揝BD管芯制備了平衡式三倍頻單片集成電路，室溫下三倍頻電路在305～330 GHz頻段內(nèi)連續(xù)波... （共6頁(yè)）