太赫茲GaN SBD外延材料的應(yīng)力調(diào)控及低缺陷密度控制技術(shù)研究

摘要： 采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（Metal organic chemical vapor deposition,MOCVD）技術(shù)在101.6 mm(4英寸）半絕緣SiC襯底上開(kāi)展太赫茲用GaN肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky barrier diode,SBD）外延材料應(yīng)力演進(jìn)及缺陷密度控制的研究。提出了一種基于AlGaN過(guò)渡層的應(yīng)力調(diào)控方案，實(shí)現(xiàn)了外延材料的應(yīng)力調(diào)控；采用低溫脈... （共5頁(yè)）