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一種改進(jìn)型抑制SiC MOSFET橋臂串?dāng)_的門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

電源學(xué)報(bào) 頁數(shù): 9 2023-03-25
摘要: 針對傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)中SiC MOSFET在高開關(guān)頻率下其寄生參數(shù)造成的橋臂串?dāng)_更加嚴(yán)重,而現(xiàn)有抑制串?dāng)_驅(qū)動(dòng)電路多以增加開關(guān)損耗、增長開關(guān)延時(shí)和增加控制復(fù)雜度為代價(jià)的問題,根據(jù)降低串?dāng)_產(chǎn)生過程中驅(qū)動(dòng)回路阻抗的思路,提出1種在柵源極間增加PNP三極管串聯(lián)二極管和電容的新型有源米勒鉗位門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),分析其工作原理,并對改進(jìn)驅(qū)動(dòng)電路并聯(lián)電容參數(shù)進(jìn)行計(jì)算設(shè)計(jì);搭建直流母線電壓為300 V的同步... (共9頁)

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