一種改進型4H-SiC超結(jié)UMOS器件

摘要： 介紹了1種改進型4H-SiC超結(jié)UMOS器件。該結(jié)構(gòu)引入上下?lián)诫s濃度不同的P柱并采用底部厚氧化層。P柱可以與N漂移層形成超結(jié)結(jié)構(gòu)，從而在保持高擊穿電壓的同時減小比導(dǎo)通電阻，底部厚柵氧化層可以減小柵漏電容。結(jié)合實際的MOSFET工藝，通過SRIM仿真給出了離子注入條件，并通過TCAD軟件對器件結(jié)構(gòu)參數(shù)進行優(yōu)化仿真，得到了擊穿電壓為1 035 V、比導(dǎo)通電阻為0.886 m?·cm... （共7頁）