硅/硅低溫直接鍵合的工藝調(diào)控及應(yīng)用

摘要： 為了滿足微機電系統(tǒng)(MEMS)對高強度、低成本、靈活性好、通用性強硅/硅低溫直接鍵合技術(shù)的迫切需求，開展基于氧等離子活化的硅/硅低溫直接鍵合工藝調(diào)控方法及應(yīng)用研究。通過正交實驗分析了活化功率、活化時間、氧氣流量對鍵合率和鍵合強度的影響，優(yōu)化了氧等離子活化工藝，350℃氮氣保護下退火2 h后，鍵合率為98.52%,平均抗剪切強度為20.2 MPa,鍵合界面連續(xù)無空洞，且形成了3.... （共7頁）