結(jié)構(gòu)化磨料拋光速度對(duì)單晶硅表面損傷機(jī)理研究

摘要： 為研究結(jié)構(gòu)化磨料的不同拋光速度對(duì)單晶硅的拋光行為的影響，采用分子動(dòng)力學(xué)方法研究了納米尺度下結(jié)構(gòu)化磨料對(duì)單晶硅的拋光行為。根據(jù)拋光熱、拋光力和靜水應(yīng)力的變化以及原子缺陷的產(chǎn)生與變化，綜合分析了結(jié)構(gòu)化磨料拋光速度對(duì)單晶硅的表面損傷機(jī)理。研究表明：高結(jié)構(gòu)化磨料拋光速度可降低單晶硅的應(yīng)力，并以此降低單晶硅的位錯(cuò)成核；但單晶硅原子的運(yùn)動(dòng)受到高結(jié)構(gòu)化磨料拋光速度增加系統(tǒng)溫度的影響，造成亞表... （共4頁）