軌道交通用大功率IGBT結電容退化規(guī)律

摘要： 結電容作為絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片重要寄生參數(shù)之一，與器件開關動態(tài)性能密切相關。通過建立IGBT開關動態(tài)數(shù)學模型，搭建基于IGBT器件級行為模型的雙脈沖測試仿真電路，研究了器件內(nèi)部結電容對IGBT動態(tài)性能的影響規(guī)律和機理。進一步地，對機車不同服役時間的IGBT樣本的結電容進行測試分析，驗證了仿真模型的有效性。結果表明，IGBT結電容隨服役時間增長均出現(xiàn)一定程度退化，其... （共8頁）