基于生死單元技術(shù)的IGBT芯片焊料層失效演化機理

摘要： 封裝疲勞失效是導致絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊故障頻發(fā)的重要因素，嚴重影響電力電子變流器可靠運行。焊料層退化演化過程復雜，亟需通過準確的模擬方法以明晰其失效機理。為此，提出了一種考慮累積損傷的IGBT芯片焊料層空洞退化演化方法。該方法基于生死單元技術(shù)的思路，通過協(xié)同仿真技術(shù)模擬芯片焊料層疲勞退化的演化過程，進一步評估焊料層的失效程度并預測模塊的壽命。搭建功率循環(huán)測試平臺驗... （共9頁）