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壽命分散性對IGBT器件串聯(lián)壽命評估的影響

半導體技術 頁數(shù): 8 2024-10-16
摘要: IGBT器件采用串聯(lián)拓撲增加耐壓等級以滿足實際應用需求,但多器件串聯(lián)增加了老化參數(shù)的監(jiān)測數(shù)量和難度。為了研究壽命分散性對器件串聯(lián)壽命的影響,揭示不同失效模式下串聯(lián)IGBT與單一IGBT的壽命差異,首先,分析了功率循環(huán)中現(xiàn)有的老化參數(shù)監(jiān)測方法,提出了壽命的特征分析模型;然后,結(jié)合失效分離的試驗方法,分析了功率循環(huán)中鍵合線失效和焊料老化兩種典型失效形式下的壽命分散性對串聯(lián)壽命評估的... (共8頁)

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