壓強對HfO₂薄膜表面石墨烯合成的影響研究

摘要： 采用真空電子束蒸鍍工藝制備HfO₂高K介質(zhì)薄膜,并在HfO₂襯底表面使用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝無轉(zhuǎn)移制備石墨烯。通過GIXRD、AFM、阻抗分析儀和激光拉曼光譜儀等,研究了生長溫度對HfO₂薄膜微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌和介電性能的影響,以及反應(yīng)總壓強對HfO₂襯底表面石墨烯生長的影響。結(jié)果表明,生長溫度為250℃時HfO₂薄膜具有最優(yōu)的表面形貌(RMS=... （共7頁）