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一種高增益縱向PNP晶體管器件設(shè)計

微電子學(xué) 頁數(shù)： 4 2024-08-20

摘要：兼顧縱向PNP晶體管高電流增益和高擊穿特性，設(shè)計了一種基于絕緣體上硅(SOI)全介質(zhì)隔離的P外延互補雙極工藝，通過優(yōu)化縱向PNP晶體管的基區(qū)摻雜濃度和有效基區(qū)寬度，獲得一種高電流增益的縱向PNP晶體管，器件增益β≥500,耐壓大于等于30 V。（共4頁）

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