基于SiC MOSFET的抗輻射電源性能研究

摘要： 隨著我國(guó)航天事業(yè)的蓬勃發(fā)展，以SiC等為代表的寬禁帶導(dǎo)體的抗輻射能力成為當(dāng)前國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。目前的大部分針對(duì)器件級(jí)單粒子燒毀、漏電流增加、閾值電壓漂移等的研究和試驗(yàn)均在施加靜態(tài)偏置條件下開(kāi)展。本文首先針對(duì)SiC MOSFET開(kāi)展器件級(jí)輻照效應(yīng)研究，分析其單粒子輻照安全工作區(qū)間。在此基礎(chǔ)上，本文進(jìn)一步設(shè)計(jì)了抗輻射電源電路作為試驗(yàn)載體，驗(yàn)證SiC MOSFET在電源實(shí)際工況下的電... （共7頁(yè)）