多場耦合侵蝕下環(huán)保Ag/Ti₂SnC復(fù)合電接觸材料的微/納米力學(xué)行為及微結(jié)構(gòu)演變

摘要： 實際服役過程中低壓開關(guān)的過早失效主要歸因于電弧侵蝕，因此闡明材料微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能退化及電弧侵蝕機理對進一步開發(fā)環(huán)保MAX相增強銀基復(fù)合電接觸材料進而推動低壓開關(guān)材料更新?lián)Q代具有重要意義。本工作沿Ag/Ti₂SnC電觸頭橫截面從電弧侵蝕層到近電弧侵蝕層再到基體內(nèi)部依次進行了微/納米壓痕實驗，分析對比了不同區(qū)域顯微硬度、納米硬度、彈性模量、蠕變以及塑性/彈性性能沿電弧侵蝕方向的... （共15頁）