健那綠B平整劑對芯片互連鈷的電沉積成核機理研究

摘要： 目的 探究了鈷互連金屬電子電鍍工藝中的電鍍成核機理，使用健那綠B(Janus Green B,JGB)對鈷的電沉積進行進一步優(yōu)化，并研究了JGB在改善電鍍質量過程中的作用機理。方法 采用電化學測試方法包括循環(huán)伏安、電流瞬態(tài)曲線，以及表征方法包括掃描電子顯微鏡（SEM）以及X射線衍射光譜（XRD），對鈷在阻擋層Ti N上的電子電鍍機理以及JGB作用下的成核特點及晶體特性等進行研究... （共10頁）