基于UIS測試的Si/SiC級聯(lián)器件雪崩特性分析

摘要： 與機械式斷路器相比，使用半導體功率器件構(gòu)成的直流固態(tài)斷路器在響應時間方面有較大的優(yōu)勢。由低壓硅金屬—氧化物—半導體場效應晶體管（Si MOSFET）和高壓碳化硅結(jié)型場效應晶體管（SiC JFET）構(gòu)成的Si/SiC級聯(lián)型器件具有優(yōu)異的開斷特性。半導體功率器件可靠性一直是直流固態(tài)斷路器所關(guān)注的焦點問題，非箝位感性負載開關(guān)（unclamped inductive switching... （共10頁）