APP SiC MOS電容;氧化后退火(POA);平帶電壓漂移;氧化物陷阱電荷;可動電荷...[繼續(xù)閱讀]
半導(dǎo)體技術(shù)2024-11-20
海量資源，盡在掌握
SiC MOS電容;氧化后退火(POA);平帶電壓漂移;氧化物陷阱電荷;可動電荷...[繼續(xù)閱讀]
聚(3-己基噻吩)(P3HT);有機(jī)薄膜晶體管(OTFT);穩(wěn)定性提升;表面鈍化;有源層共混...[繼續(xù)閱讀]
緩蝕劑;表面活性劑;化學(xué)機(jī)械拋光(CMP);協(xié)同作用;金屬腐蝕抑制...[繼續(xù)閱讀]
SiC MOSFET;X射線光電子能譜(XPS);二次離子質(zhì)譜(SIMS);界面缺陷;氧化后退火(POA)...[繼續(xù)閱讀]
SiC MOSFET;寄生參數(shù);半橋電路;有源驅(qū)動;串?dāng)_抑制;負(fù)壓關(guān)斷...[繼續(xù)閱讀]
SiC MOSFET;動態(tài)參數(shù);疊層母排;驅(qū)動保護(hù)電路;雙脈沖測試平臺...[繼續(xù)閱讀]
串?dāng)_;柵極電阻;SiC MOSFET;半橋;安全運(yùn)行;驅(qū)動設(shè)計...[繼續(xù)閱讀]
IGBT;壽命分散性;串聯(lián);功率循環(huán)試驗;老化;表征方法...[繼續(xù)閱讀]
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT);焊料層退化;生死單元技術(shù);協(xié)同仿真;功率循環(huán)測試...[繼續(xù)閱讀]