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無(wú)線(xiàn)電子 共有 49323 個(gè)文獻(xiàn)

基于機(jī)器學(xué)習(xí)的MRTD客觀測(cè)試方法研究

    最小可辨溫差;機(jī)器學(xué)習(xí);深度學(xué)習(xí);支持向量機(jī);卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)...[繼續(xù)閱讀]

系統(tǒng)工程與電子技術(shù)2024-05-17

本征基區(qū)尺寸對(duì)雙極器件總電離劑量輻射效應(yīng)的影響

    雙極器件;總電離劑量(TID)輻射;本征基區(qū);0.18μm;BCD工藝...[繼續(xù)閱讀]

半導(dǎo)體技術(shù)2024-08-30

基于HTCC和薄膜工藝的微系統(tǒng)封裝基板制備技術(shù)

    高溫共燒陶瓷(HTCC);薄膜工藝;高密度;粗糙度;微系統(tǒng)封裝...[繼續(xù)閱讀]

半導(dǎo)體技術(shù)2024-11-03

微彈簧型CCGA器件植裝工藝及評(píng)價(jià)方法

    微彈簧;陶瓷柱柵陣列(CCGA);植裝工藝;拉脫強(qiáng)度;空洞率...[繼續(xù)閱讀]

半導(dǎo)體技術(shù)2024-11-03

集成DTC的埋入硅橋式扇出型封裝的去耦設(shè)計(jì)

    硅橋芯片;深槽電容(DTC);埋入硅橋式扇出型封裝;電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN);去耦電容...[繼續(xù)閱讀]

半導(dǎo)體技術(shù)2024-11-03

考慮閾值電壓漂移的SiC MOSFET功率循環(huán)壽命修正技術(shù)

    SiC MOSFET;閾值電壓漂移;功率循環(huán)測(cè)試(PCT);在線(xiàn)監(jiān)測(cè);芯片電阻;鍵合線(xiàn)失效;壽命修正...[繼續(xù)閱讀]

半導(dǎo)體技術(shù)2024-09-20

一種實(shí)現(xiàn)能量重復(fù)利用的SiC MOSFET諧振驅(qū)動(dòng)電路

    SiC MOSFET;驅(qū)動(dòng)電路;諧振;開(kāi)關(guān)損耗;寄生電容...[繼續(xù)閱讀]

半導(dǎo)體技術(shù)2024-11-03

基于改進(jìn)DDPG-PID的芯片共晶鍵合溫度控制

    芯片共晶鍵合;深度確定性策略梯度(DDPG)算法;強(qiáng)化學(xué)習(xí);溫度控制;比例-積分-微分(PID)控制...[繼續(xù)閱讀]

半導(dǎo)體技術(shù)2024-09-26

低藍(lán)光的白光LED制備與評(píng)價(jià)指標(biāo)修正

    藍(lán)光危害;夜間照明;暖白光LED;褪黑素;色溫;熒光粉...[繼續(xù)閱讀]

半導(dǎo)體技術(shù)2024-11-03

沿黑體輻射線(xiàn)類(lèi)太陽(yáng)光LED調(diào)光系統(tǒng)調(diào)配及優(yōu)化

    發(fā)光二極管(LED);黑體輻射線(xiàn);脈寬調(diào)制(PWM);顯色指數(shù);可調(diào)色溫...[繼續(xù)閱讀]

半導(dǎo)體技術(shù)2024-09-19
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